时节将近清明,牛毛般的细雨落在脸上,微微有一丝凉意,却无法打湿衣服。
曲军轻轻一蹬,山地车丝滑的驶上斜坡,杨涛和另外几个同学在后面使劲追,气喘吁吁的勉强跟着。
长城作为古代的军事防御设施,都修建在地势险要的崇山峻岭上,从昌平往北一路慢上坡,偶尔还掺杂几个陡坡,后世里很少有人骑自行车去长城,只有八十年代的大学生又穷又不怕累,才会选择这种春游方式。
无线电子系、物理系、工物系、计算机系、材料系……关系比较近的几个系的大一新生来了一大半,这几个系经常在一起上大课,慢慢的互相都认识了,为了凑够人手一辆的自行车,把高年级的老生借了个遍,好在清华园的自行车普及率很高,最后总算凑齐了。
班长周翔吨位比较大,一路上坡更加辛苦,曲军停下喝水的工夫,吭哧吭哧从后面追了上来。
“老军,休息一会儿,等等女生。”
大学生不会像小学生一样排队出发,都是三三两两的自由组合,男生和男生在一起,女生和女生在一起,若即若离,又互相照应。
曲军应了一声,干脆下车推着走,时间不长,一群群男男女女的同学从他身旁超过,突然有一辆银灰色坤车插进曲军和杨涛之间,骑车的女生骗腿下车,还没看清模样,先听到一串清脆的笑声。
“曲军同学你好,我是《新清华》的校报记者糖糖,能对您做个采访吗?”
糖糖能被选为《新清华》的校报记者,绝对是清华园难得一见的大美女,生得青春靓丽,打扮时髦前卫,却有一个非常土气的名字——唐艳花,除非迫不得已,从来不提本名。
“可以,咱们边走边聊,不用搞得那么正式。”
曲军欣然同意。
成名有成名的烦恼,各种媒体采访不胜其烦,偏偏《新清华》是清华园自家的校报推脱不得,在春游路上顺便搞个采访,总比去电子所骚扰科研工作强得多。
“您在美国着名学术期刊《物理评论快报》上发表的论文,在清华园引起巨大反响,凡是理工类专业班级上课,老师都会反复提起这篇论文,但是很多大一新生对论文的分类并不了解,您能简单介绍一下吗?”
糖糖是一个很老练的校园记者,很专业的带着一个小收录机,不需要纸笔记录。
她的第一个问题也很有技巧,难度不大又适合被拜访者装蜜蜂,可以迅速拉近距离,展开下一步的深入交流。
“我们国内的论文分类和欧美一样,主要分为三种,第一种是Letters快报,第二种是Article论文,第三种是Review综述,Review在严格意义上不算原创性论文,包括PRL在内的很多期刊都是拒收的……”
都是最基础的常识,曲军随口而答,周围的男女同学却听得很认真,今天来春游的同学大都是大一新生,几乎都没有发过论文,听这些基础常识就觉得很新鲜,很神秘。
女生都喜欢和闺蜜一起行动,糖糖身边就跟着两个闺蜜,三个女生三辆自行车,把杨涛、周翔都挤到了一边。
其中一个短发闺蜜扑扇着大眼睛问道:“曲军你发的就是一篇Article吧?是不是比Letters更厉害?”
“Article一般比Letters更严谨,篇幅也更长,Letters注重开创性和时效性,有些细节可以模湖处理,总的来说还是Article的分量更重,不过PRL就是一家快报类的物理期刊,我发的论文是一篇Letters……”
这丫头大概是想捧跟,可惜连PRL期刊的性质都没搞清,马屁拍到马脚上。
能够成为糖糖的闺蜜,她的颜值也在7.5分以上,在美女贫瘠的清华园可以当系花了,但是脑子好像不太够用。
“我们系里的几位老师都对您的论文评价很高,据说有非常巨大的应用价值,但我还是不太理解,您能详细解释一下吗?”
糖糖问出的第二个问题,还是充满善意,方便曲军随便吹牛皮。
那就放飞自我的吹一把。
巨磁阻效应能够获得诺奖,三分是因为学术价值,七分是因为它巨大的应用价值,除了GMR磁头,在其他方面还有很多应用,随便列举几项,就把一帮子男女同学听得两眼发直。
“曲军同学你刚才说到磁强计、磁开关、自控元件和计算机内存,请问采用巨磁阻效应制造计算机内存,主要有什么优点,目前还有什么技术障碍?”
嗯?这个问题有点小内行啊!
曲军不由得高看了糖糖一眼,能问出巨磁阻内存有什么技术障碍,说明她真的考虑过这个问题。
“现有的GMR元件还无法控制自旋电子自由层磁矩的翻转,也就无法有效实现信息的写入和读出,另外元器件的制作非常复杂,必须设计新的制备工艺,最少做出三个电极……”
计算机内存一般分为RAM和ROM,采用巨磁阻效应制造的内存在后世被命名为MRAM,这玩意儿的功能极其强大,已经不用再分出一个只读存储器(ROM)了,存储能力比常见的RAM和ROM提高了上千倍,而且存算一体,速度飞快,开机速度绝对打败全国99.999999%的电脑……
千好万好,只有一条不好,这玩意儿的生产成本太高了,一般的计算机根本用不起,光是一个超低温的生产环境就把造价翻了一个数量级。
因为价格太贵,所以没有市场,反过来又制约了技术的发展,MRAM远不像GMR磁头那样人尽皆知。
但是在某些特定领域,比如航空航天和国防军工,根本不在乎多出来的这点成本,MRAM内存其实已经被广泛使用。
从长远看,采用巨磁阻效应制造MRAM内存也是内存行业的发展大方向,是制造下一代量子计算机的第一步,绝对是一项很重要的研究方向。
再从技术上分析,MRAM内存要采用隧穿巨磁阻的技术,磁阻变化率比超大巨磁阻效应更高,和过渡金属的研究相结合,发展出异常巨磁阻效应EMR技术。
CMR的“C”代表colossal,在英语中就是大到极致的存在,发现EMR效应后,磁阻变化率竟然比CMR又大了成千上万倍,科学家没有办法,只好把它命名为“异常”磁阻效应(EMR)。
对过渡金属和巨磁阻效应的研究,又能导向石墨烯的发明。
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